BR8810MF - описание и поиск аналогов

 

BR8810MF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BR8810MF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 328 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6

Аналог (замена) для BR8810MF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BR8810MF даташит

 ..1. Size:1401K  blue-rocket-elect
 br8810mf.pdf pdf_icon

BR8810MF

BR8810MF Rev.E Oct.-2017 DATA SHEET / Descriptions SOT23-6 N MOS ESD N-channel Double MOSFET in a SOT23-6 Plastic Package. It is ESD protested. / Features RDS(on) advanced trench technology to provide excellent RDS(on), low gate charge. VD

Другие MOSFET... FHU9540C , FHD9540C , BR13N50 , BR20N40 , BR2N7002K2 , BR40P03 , BR4953D , BR50P06 , IRLB3034 , BRA4N60 , BRCS10N15DP , BRCS120N02ZJ , BRCS120N03ZJ , BRCS139WS , BRCS20P04DP , BRCS20P06DP , BRCS2301AMA .

History: 2SK4151 | STP7NA40

 

 

 

 

↑ Back to Top
.