Справочник MOSFET. BR8810MF

 

BR8810MF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BR8810MF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 328 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6
 

 Аналог (замена) для BR8810MF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BR8810MF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1401K  blue-rocket-elect
 br8810mf.pdf pdf_icon

BR8810MF

BR8810MF Rev.E Oct.-2017 DATA SHEET / Descriptions SOT23-6 N MOS ESD N-channel Double MOSFET in a SOT23-6 Plastic Package. It is ESD protested. / Features RDS(on)advanced trench technology to provide excellent RDS(on), low gate charge. VD

Другие MOSFET... FHU9540C , FHD9540C , BR13N50 , BR20N40 , BR2N7002K2 , BR40P03 , BR4953D , BR50P06 , 60N06 , BRA4N60 , BRCS10N15DP , BRCS120N02ZJ , BRCS120N03ZJ , BRCS139WS , BRCS20P04DP , BRCS20P06DP , BRCS2301AMA .

History: IXTQ36N30P | CS10N60A8HD | AP9435GP-HF | FDP8N50NZU | NTMFS4939NT1G | RS1G120MN | TPB70R950C

 

 
Back to Top

 


 
.