BR8810MF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BR8810MF
Маркировка: 8810
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 10 nC
Время нарастания (tr): 328 ns
Выходная емкость (Cd): 160 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6
BR8810MF Datasheet (PDF)
..1. Size:1401K blue-rocket-elect
br8810mf.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
br8810mf.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
BR8810MF Rev.E Oct.-2017 DATA SHEET / Descriptions SOT23-6 N MOS ESD N-channel Double MOSFET in a SOT23-6 Plastic Package. It is ESD protested. / Features RDS(on)advanced trench technology to provide excellent RDS(on), low gate charge. VD
Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 7N60 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .