BRA4N60 Todos los transistores

 

BRA4N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRA4N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: TO-262

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BRA4N60 datasheet

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BRA4N60

BRA4N60 Rev.D Nov.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-262 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-262 Plastic Package.. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficienc

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BRA4N60

BRA4N65(BRCS4N65A) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-262 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package.. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high

Otros transistores... FHD9540C , BR13N50 , BR20N40 , BR2N7002K2 , BR40P03 , BR4953D , BR50P06 , BR8810MF , IRF9640 , BRCS10N15DP , BRCS120N02ZJ , BRCS120N03ZJ , BRCS139WS , BRCS20P04DP , BRCS20P06DP , BRCS2301AMA , BRCS2301MA .

History: IRFB4610 | SM6106PSK | 2SK3298 | WMPN40N50D1 | ME2306D

 

 

 

 

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