BRA4N60 - описание и поиск аналогов

 

BRA4N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRA4N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для BRA4N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRA4N60 даташит

 ..1. Size:827K  blue-rocket-elect
 bra4n60.pdf pdf_icon

BRA4N60

BRA4N60 Rev.D Nov.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-262 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-262 Plastic Package.. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficienc

 8.1. Size:393K  blue-rocket-elect
 bra4n65.pdf pdf_icon

BRA4N60

BRA4N65(BRCS4N65A) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-262 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package.. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high

Другие MOSFET... FHD9540C , BR13N50 , BR20N40 , BR2N7002K2 , BR40P03 , BR4953D , BR50P06 , BR8810MF , IRF9640 , BRCS10N15DP , BRCS120N02ZJ , BRCS120N03ZJ , BRCS139WS , BRCS20P04DP , BRCS20P06DP , BRCS2301AMA , BRCS2301MA .

History: 3N80G-TA3-T | IRF8736TR

 

 

 

 

↑ Back to Top
.