Справочник MOSFET. BRA4N60

 

BRA4N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRA4N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
 

 Аналог (замена) для BRA4N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRA4N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:827K  blue-rocket-elect
 bra4n60.pdf pdf_icon

BRA4N60

BRA4N60 Rev.D Nov.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-262 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-262 Plastic Package.. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficienc

 8.1. Size:393K  blue-rocket-elect
 bra4n65.pdf pdf_icon

BRA4N60

BRA4N65(BRCS4N65A) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-262 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package.. / Features ,, Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high

Другие MOSFET... FHD9540C , BR13N50 , BR20N40 , BR2N7002K2 , BR40P03 , BR4953D , BR50P06 , BR8810MF , AON7403 , BRCS10N15DP , BRCS120N02ZJ , BRCS120N03ZJ , BRCS139WS , BRCS20P04DP , BRCS20P06DP , BRCS2301AMA , BRCS2301MA .

History: CHM634PAGP | NVMFS5A140PLZ | ZXMN6A07F

 

 
Back to Top

 


 
.