BRCS70N08IP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRCS70N08IP
Código: BR70N08
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 130 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 70 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Tiempo de subida (tr): 68 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 680 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.012 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BRCS70N08IP
BRCS70N08IP Datasheet (PDF)
brcs70n08ip.pdf
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BRCS70N08IP Rev.A Nov.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high effici
brcs7002k2zk.pdf
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BRCS7002K2ZK Rev.A Jul.-2020 DATA SHEET / Descriptions DFN1006-3L-0.5 N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 1006-3L Plastic Package. / Features 2KV Sensitive gate trigger current and Low Holding current.ESD protect
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