Справочник MOSFET. BRCS70N08IP

 

BRCS70N08IP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRCS70N08IP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для BRCS70N08IP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRCS70N08IP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:798K  blue-rocket-elect
 brcs70n08ip.pdf pdf_icon

BRCS70N08IP

BRCS70N08IP Rev.A Nov.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high effici

 8.1. Size:2099K  blue-rocket-elect
 brcs700p10dp.pdf pdf_icon

BRCS70N08IP

BRCS700P10DP Rev.C Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features VDS(V)=-100V I =-22A DRDS(ON)@-10V

 8.2. Size:739K  blue-rocket-elect
 brcs7002k2zk.pdf pdf_icon

BRCS70N08IP

BRCS7002K2ZK Rev.A Jul.-2020 DATA SHEET / Descriptions DFN1006-3L-0.5 N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 1006-3L Plastic Package. / Features 2KV Sensitive gate trigger current and Low Holding current.ESD protect

Другие MOSFET... BRCS4292SC , BRCS4484SC , BRCS4606SC , BRCS4614SC , BRCS4953DMF , BRCS5N10MC , BRCS5P06MA , BRCS7002K2ZK , P55NF06 , BRCS80N03DP , BRCS90P03RA , BRCS9435SC , BRCS9926SC , BRD100N03 , BRD15N10 , BRD30P06 , BRD4N70 .

 

 
Back to Top

 


 
.