BRCS80N03DP Todos los transistores

 

BRCS80N03DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRCS80N03DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 790 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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BRCS80N03DP Datasheet (PDF)

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BRCS80N03DP

BRCS80N03DP Rev.D Mar.-2020 DATA SHEET / Descriptions N TO-252 N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features Super high dense cell design for low RDS(on),Rugged and reliable,surface mount package. Halogen-free Product. / Applicati

 8.1. Size:1940K  blue-rocket-elect
 brcs800p06sc.pdf pdf_icon

BRCS80N03DP

BRCS800P06SC Rev.A May.-2023 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 P P-CHANNEL MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features V =-60V DSI =-6A(V =20V) D GSRDS(ON)@-10V80mR(Typ.61mR) RDS(ON)@-4.5V120mR(Typ.77mR) HF Product. / Applications PWM De

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History: SI6928DQ | NCE65T680 | SI1900DL

 

 
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