BRCS80N03DP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BRCS80N03DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для BRCS80N03DP
BRCS80N03DP Datasheet (PDF)
brcs80n03dp.pdf
BRCS80N03DP Rev.D Mar.-2020 DATA SHEET / Descriptions N TO-252 N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features Super high dense cell design for low RDS(on),Rugged and reliable,surface mount package. Halogen-free Product. / Applicati
brcs800p06sc.pdf
BRCS800P06SC Rev.A May.-2023 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 P P-CHANNEL MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features V =-60V DSI =-6A(V =20V) D GSRDS(ON)@-10V80mR(Typ.61mR) RDS(ON)@-4.5V120mR(Typ.77mR) HF Product. / Applications PWM De
Другие MOSFET... BRCS4484SC , BRCS4606SC , BRCS4614SC , BRCS4953DMF , BRCS5N10MC , BRCS5P06MA , BRCS7002K2ZK , BRCS70N08IP , 7N65 , BRCS90P03RA , BRCS9435SC , BRCS9926SC , BRD100N03 , BRD15N10 , BRD30P06 , BRD4N70 , BRD50P06 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGMH022N10LL | AGMH022N10H | AGM85P10D | AGM85P10A | AGM7N65D | AGM6N20D | AGM665E | AGM665D | AGM65R380F | AGM655D | AGM628S | AGM628MN | AGM628MD | AGM628MAP | AGM628M | AGM4025D
Popular searches
2sc1945 | c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c



