Справочник MOSFET. BRCS80N03DP

 

BRCS80N03DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRCS80N03DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BRCS80N03DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:647K  blue-rocket-elect
 brcs80n03dp.pdf pdf_icon

BRCS80N03DP

BRCS80N03DP Rev.D Mar.-2020 DATA SHEET / Descriptions N TO-252 N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features Super high dense cell design for low RDS(on),Rugged and reliable,surface mount package. Halogen-free Product. / Applicati

 8.1. Size:1940K  blue-rocket-elect
 brcs800p06sc.pdf pdf_icon

BRCS80N03DP

BRCS800P06SC Rev.A May.-2023 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 P P-CHANNEL MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features V =-60V DSI =-6A(V =20V) D GSRDS(ON)@-10V80mR(Typ.61mR) RDS(ON)@-4.5V120mR(Typ.77mR) HF Product. / Applications PWM De

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.