BRCS80N03DP. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BRCS80N03DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для BRCS80N03DP
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BRCS80N03DP даташит
brcs80n03dp.pdf
BRCS80N03DP Rev.D Mar.-2020 DATA SHEET / Descriptions N TO-252 N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features Super high dense cell design for low RDS(on),Rugged and reliable,surface mount package. Halogen-free Product. / Applicati
brcs800p06sc.pdf
BRCS800P06SC Rev.A May.-2023 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 P P-CHANNEL MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features V =-60V DS I =-6A(V = 20V) D GS R DS(ON)@-10V 80mR(Typ.61mR) R DS(ON)@-4.5V 120mR(Typ.77mR) HF Product. / Applications PWM De
Другие MOSFET... BRCS4484SC , BRCS4606SC , BRCS4614SC , BRCS4953DMF , BRCS5N10MC , BRCS5P06MA , BRCS7002K2ZK , BRCS70N08IP , 10N60 , BRCS90P03RA , BRCS9435SC , BRCS9926SC , BRD100N03 , BRD15N10 , BRD30P06 , BRD4N70 , BRD50P06 .
History: 2SK3574-Z | BSR302N | AFN4172WSS8 | SL12N100T | 2SK2673 | SL20N03 | SI4435DY-T1-E3
History: 2SK3574-Z | BSR302N | AFN4172WSS8 | SL12N100T | 2SK2673 | SL20N03 | SI4435DY-T1-E3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sc1945 | c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c


