SSI7N60A Todos los transistores

 

SSI7N60A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSI7N60A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: I2PAK

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SSI7N60A datasheet

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SSI7N60A

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SSI7N60A

November 2001 SSW7N60B / SSI7N60B 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 7.0A, 600V, RDS(on) = 1.2 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 38 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 23 pF) This advanced technology has been especially tailored to

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History: TPCP8205-H | TPCP8204 | TPCP8203 | 2SK3530 | WMJ25N70EM

 

 

 

 

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