SSI7N60A Todos los transistores

 

SSI7N60A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSI7N60A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2PAK
 

 Búsqueda de reemplazo de SSI7N60A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SSI7N60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:219K  1
 ssi7n60a ssw7n60a.pdf pdf_icon

SSI7N60A

 7.1. Size:661K  1
 ssw7n60b ssi7n60b.pdf pdf_icon

SSI7N60A

November 2001SSW7N60B / SSI7N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 7.0A, 600V, RDS(on) = 1.2 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 38 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 23 pF)This advanced technology has been especially tailored to

Otros transistores... SSI4N60A , SSI4N80A , SSI4N80AS , SSI4N90A , SSI4N90AS , SSI5N80A , SSI5N90A , SSI6N70A , IRF2807 , SSP10N60A , SSP1N50A , SSP1N60A , SSP2N60A , SSP2N80A , SSP2N90A , SSP3N70 , SSP3N70A .

History: WSF45P10 | IXTP56N15T | IRF7701GPBF | UTM4953 | IPI65R190CFD | IPP90N06S4-04

 

 
Back to Top

 


 
.