SSI7N60A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSI7N60A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Paquete / Cubierta: I2PAK
Búsqueda de reemplazo de SSI7N60A MOSFET
SSI7N60A Datasheet (PDF)
ssw7n60b ssi7n60b.pdf

November 2001SSW7N60B / SSI7N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 7.0A, 600V, RDS(on) = 1.2 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 38 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 23 pF)This advanced technology has been especially tailored to
Otros transistores... SSI4N60A , SSI4N80A , SSI4N80AS , SSI4N90A , SSI4N90AS , SSI5N80A , SSI5N90A , SSI6N70A , IRF2807 , SSP10N60A , SSP1N50A , SSP1N60A , SSP2N60A , SSP2N80A , SSP2N90A , SSP3N70 , SSP3N70A .



Liste
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