Справочник MOSFET. SSI7N60A

 

SSI7N60A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSI7N60A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: I2PAK
 

 Аналог (замена) для SSI7N60A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSI7N60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:219K  1
 ssi7n60a ssw7n60a.pdf pdf_icon

SSI7N60A

 7.1. Size:661K  1
 ssw7n60b ssi7n60b.pdf pdf_icon

SSI7N60A

November 2001SSW7N60B / SSI7N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 7.0A, 600V, RDS(on) = 1.2 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 38 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 23 pF)This advanced technology has been especially tailored to

Другие MOSFET... SSI4N60A , SSI4N80A , SSI4N80AS , SSI4N90A , SSI4N90AS , SSI5N80A , SSI5N90A , SSI6N70A , IRF2807 , SSP10N60A , SSP1N50A , SSP1N60A , SSP2N60A , SSP2N80A , SSP2N90A , SSP3N70 , SSP3N70A .

History: STP80PF55 | SFP9Z34 | S60N12R | TMU6N70 | SK2306 | NDF02N60ZG | SIRA12BDP

 

 
Back to Top

 


 
.