SSI7N60A - описание и поиск аналогов

 

SSI7N60A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSI7N60A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: I2PAK

Аналог (замена) для SSI7N60A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSI7N60A даташит

 ..1. Size:219K  1
 ssi7n60a ssw7n60a.pdf pdf_icon

SSI7N60A

 7.1. Size:661K  1
 ssw7n60b ssi7n60b.pdf pdf_icon

SSI7N60A

November 2001 SSW7N60B / SSI7N60B 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 7.0A, 600V, RDS(on) = 1.2 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 38 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 23 pF) This advanced technology has been especially tailored to

Другие MOSFET... SSI4N60A , SSI4N80A , SSI4N80AS , SSI4N90A , SSI4N90AS , SSI5N80A , SSI5N90A , SSI6N70A , STF13NM60N , SSP10N60A , SSP1N50A , SSP1N60A , SSP2N60A , SSP2N80A , SSP2N90A , SSP3N70 , SSP3N70A .

History: IRFL014PBF | FDC8878 | IRLL2705PBF | TK10A50W | SLP6N70U | LSD60R099HT | FTA07N60

 

 

 

 

↑ Back to Top
.