BRD15N10 Todos los transistores

 

BRD15N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRD15N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 57 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

BRD15N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:816K  blue-rocket-elect
 brd15n10.pdf pdf_icon

BRD15N10

BRD15N10 Rev.F Oct.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC

 9.1. Size:772K  blue-rocket-elect
 brd15p06.pdf pdf_icon

BRD15N10

BRD15P06(BRCS15P06D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R DS(on)Super high dense cell design for low RDS(on). / Applications DC/DC

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IPD180N10N3G | BSC096N10LS5 | IRF510STRLPBF | FQD10N20CTF | 2SJ609 | 2SK3498 | IRF353

 

 
Back to Top

 


 
.