BRD15N10 - описание и поиск аналогов

 

BRD15N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRD15N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для BRD15N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRD15N10 даташит

 ..1. Size:816K  blue-rocket-elect
 brd15n10.pdf pdf_icon

BRD15N10

BRD15N10 Rev.F Oct.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC

 9.1. Size:772K  blue-rocket-elect
 brd15p06.pdf pdf_icon

BRD15N10

Другие MOSFET... BRCS5P06MA , BRCS7002K2ZK , BRCS70N08IP , BRCS80N03DP , BRCS90P03RA , BRCS9435SC , BRCS9926SC , BRD100N03 , 8205A , BRD30P06 , BRD4N70 , BRD50P06 , BRD70N08 , BRD840 , BRF5N65 , BRFL10N60 , BRFL10N65 .

History: AGM60P30AP | SGS150MA010D1 | FTP18N06 | STT3463P | TPM2008EP3 | AGM60P85AP | SGSP321

 

 

 

 

↑ Back to Top
.