BRD30P06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRD30P06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de BRD30P06 MOSFET
BRD30P06 Datasheet (PDF)
brd30p06.pdf
BRD30P06 Rev.D May.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features VDS =- 60V,ID =-26A RDS(ON)
Otros transistores... BRCS7002K2ZK , BRCS70N08IP , BRCS80N03DP , BRCS90P03RA , BRCS9435SC , BRCS9926SC , BRD100N03 , BRD15N10 , STP75NF75 , BRD4N70 , BRD50P06 , BRD70N08 , BRD840 , BRF5N65 , BRFL10N60 , BRFL10N65 , BRFL12N60 .
History: 1HN04CH | NDS9430A | FS30KMJ-3 | KNF6180A | VN10KM | BRD4N70 | APT12080B2VFR
History: 1HN04CH | NDS9430A | FS30KMJ-3 | KNF6180A | VN10KM | BRD4N70 | APT12080B2VFR
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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