BRD30P06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRD30P06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de BRD30P06 MOSFET
BRD30P06 Datasheet (PDF)
brd30p06.pdf
BRD30P06 Rev.D May.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features VDS =- 60V,ID =-26A RDS(ON)
Otros transistores... BRCS7002K2ZK , BRCS70N08IP , BRCS80N03DP , BRCS90P03RA , BRCS9435SC , BRCS9926SC , BRD100N03 , BRD15N10 , AON7408 , BRD4N70 , BRD50P06 , BRD70N08 , BRD840 , BRF5N65 , BRFL10N60 , BRFL10N65 , BRFL12N60 .
History: IRLR8715CPBF | SCH1433 | KF9N25P | FTK7N65DD | BRD4N70 | RFP8P05 | ME4825
History: IRLR8715CPBF | SCH1433 | KF9N25P | FTK7N65DD | BRD4N70 | RFP8P05 | ME4825
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP90N02NF | AP90N02D | AP8V06S | AP8P04S | AP8P04MI | AP8N10MI | AP8N06SI | AP8H06S | AP8H04S | AP8H04DF | AP8814A | AP85N04NF | AP8205S | AP8205A-21 | AP80P10D | AP50N20MP
Popular searches
c1345 transistor | jcs640c | kn2907a | ncep028n85 datasheet | sw50n06 | 2sa1232 | 2sc1940 | ftp08n06a