Справочник MOSFET. BRD30P06

 

BRD30P06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRD30P06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для BRD30P06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRD30P06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1102K  blue-rocket-elect
 brd30p06.pdf pdf_icon

BRD30P06

BRD30P06 Rev.D May.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features VDS =- 60V,ID =-26A RDS(ON)

Другие MOSFET... BRCS7002K2ZK , BRCS70N08IP , BRCS80N03DP , BRCS90P03RA , BRCS9435SC , BRCS9926SC , BRD100N03 , BRD15N10 , STP75NF75 , BRD4N70 , BRD50P06 , BRD70N08 , BRD840 , BRF5N65 , BRFL10N60 , BRFL10N65 , BRFL12N60 .

History: CS3N40A4H | KNF6180A | NCEP40ND80G | NCE50NF220D | STP17NK40Z | STP8NM50

 

 
Back to Top

 


 
.