BRD840 Todos los transistores

 

BRD840 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRD840
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de BRD840 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BRD840 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:708K  blue-rocket-elect
 brd840.pdf pdf_icon

BRD840

BRD840 Rev.D May.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency

Otros transistores... BRCS9435SC , BRCS9926SC , BRD100N03 , BRD15N10 , BRD30P06 , BRD4N70 , BRD50P06 , BRD70N08 , 2N7000 , BRF5N65 , BRFL10N60 , BRFL10N65 , BRFL12N60 , BRFL12N65 , BRFL7N60 , BRFL7N65 , BRFL7N80 .

History: SIR610DP

 

 
Back to Top

 


 
.