BRD840 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRD840
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
Encapsulados: TO-252
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BRD840 datasheet
brd840.pdf
BRD840 Rev.D May.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency
Otros transistores... BRCS9435SC , BRCS9926SC , BRD100N03 , BRD15N10 , BRD30P06 , BRD4N70 , BRD50P06 , BRD70N08 , AON7408 , BRF5N65 , BRFL10N60 , BRFL10N65 , BRFL12N60 , BRFL12N65 , BRFL7N60 , BRFL7N65 , BRFL7N80 .
History: BRD70N08 | SGSP311 | CM10N60AFZ
History: BRD70N08 | SGSP311 | CM10N60AFZ
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