Справочник MOSFET. BRD840

 

BRD840 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRD840
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для BRD840

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRD840 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:708K  blue-rocket-elect
 brd840.pdf pdf_icon

BRD840

BRD840 Rev.D May.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency

Другие MOSFET... BRCS9435SC , BRCS9926SC , BRD100N03 , BRD15N10 , BRD30P06 , BRD4N70 , BRD50P06 , BRD70N08 , 2N7000 , BRF5N65 , BRFL10N60 , BRFL10N65 , BRFL12N60 , BRFL12N65 , BRFL7N60 , BRFL7N65 , BRFL7N80 .

History: WM10N33M | TK19H50C

 

 
Back to Top

 


 
.