BRD840 - описание и поиск аналогов

 

BRD840. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRD840

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для BRD840

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRD840 даташит

 ..1. Size:708K  blue-rocket-elect
 brd840.pdf pdf_icon

BRD840

BRD840 Rev.D May.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency

Другие MOSFET... BRCS9435SC , BRCS9926SC , BRD100N03 , BRD15N10 , BRD30P06 , BRD4N70 , BRD50P06 , BRD70N08 , AON7408 , BRF5N65 , BRFL10N60 , BRFL10N65 , BRFL12N60 , BRFL12N65 , BRFL7N60 , BRFL7N65 , BRFL7N80 .

History: BRD70N08 | SGS100MA010D1 | SMK1430F | APT60N60BCS | S15H11RN | SMK1350F | AGM612MBP

 

 

 

 

↑ Back to Top
.