3400H Todos los transistores

 

3400H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3400H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
     - Selección de transistores por parámetros

 

3400H Datasheet (PDF)

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3400H

3400HGOFORDDescription DThe 3400H uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge.This device is suitable Gfor use as a load switch and PWM applications. SGenera Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) RDS(ON) ID @ (Typ) @10V 4.5V (Typ) @ 2.5V (Typ)m27 m m 40 5.830V 30 A High Power and current handing cap

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SVSP7N70FJDD2 | ET6309 | IRF150SMD | AP2312GN | IRF8852 | WFP13N50 | EMB07N03HR

 

 
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