3400H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 3400H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.4 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 5.8 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.45 V
   Carga de la puerta (Qg): 5.2 nC
   Tiempo de subida (tr): 2.5 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 45 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 3400H

3400H Datasheet (PDF)

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3400h.pdf

3400HGOFORDDescription DThe 3400H uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge.This device is suitable Gfor use as a load switch and PWM applications. SGenera Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) RDS(ON) ID @ (Typ) @10V 4.5V (Typ) @ 2.5V (Typ)m27 m m 40 5.830V 30 A High Power and current handing cap

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Liste

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