3400H Todos los transistores

 

3400H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3400H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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3400H datasheet

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3400H

3400H GOFORD Description D The 3400H uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge.This device is suitable G for use as a load switch and PWM applications. S Genera Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) RDS(ON) ID @ (Typ) @ 10V 4.5V (Typ) @ 2.5V (Typ) m 27 m m 40 5.8 30V 30 A High Power and current handing cap

Otros transistores... BRFL7N65 , BRFL7N80 , BRFL8N60 , IRFB3710 , 2312 , 06N06L , 18N10W , 2300F , AON7410 , 3415A , 80N06-251 , 8680A , G01N20R , G06N10 , G08N03D2 , G08N06S , G1006LE .

History: SI1967DH

 

 

 

 

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