3400H. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 3400H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для 3400H
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
3400H даташит
3400h.pdf
3400H GOFORD Description D The 3400H uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge.This device is suitable G for use as a load switch and PWM applications. S Genera Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) RDS(ON) ID @ (Typ) @ 10V 4.5V (Typ) @ 2.5V (Typ) m 27 m m 40 5.8 30V 30 A High Power and current handing cap
Другие MOSFET... BRFL7N65 , BRFL7N80 , BRFL8N60 , IRFB3710 , 2312 , 06N06L , 18N10W , 2300F , AON7410 , 3415A , 80N06-251 , 8680A , G01N20R , G06N10 , G08N03D2 , G08N06S , G1006LE .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor

