Справочник MOSFET. 3400H

 

3400H MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 3400H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.45 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 5.2 nC
   Время нарастания (tr): 2.5 ns
   Выходная емкость (Cd): 45 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для 3400H

 

 

3400H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1216K  goford
3400h.pdf

3400H
3400H

3400HGOFORDDescription DThe 3400H uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge.This device is suitable Gfor use as a load switch and PWM applications. SGenera Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) RDS(ON) ID @ (Typ) @10V 4.5V (Typ) @ 2.5V (Typ)m27 m m 40 5.830V 30 A High Power and current handing cap

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top