3400H - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 3400H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для 3400H
3400H Datasheet (PDF)
3400h.pdf
3400HGOFORDDescription DThe 3400H uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge.This device is suitable Gfor use as a load switch and PWM applications. SGenera Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) RDS(ON) ID @ (Typ) @10V 4.5V (Typ) @ 2.5V (Typ)m27 m m 40 5.830V 30 A High Power and current handing cap
Другие MOSFET... BRFL7N65 , BRFL7N80 , BRFL8N60 , IRFB3710 , 2312 , 06N06L , 18N10W , 2300F , AON7410 , 3415A , 80N06-251 , 8680A , G01N20R , G06N10 , G08N03D2 , G08N06S , G1006LE .
History: FDS6910 | 15N10B | AP95T07AGP | AP2323AGN | SGSP491 | SI2307A | SI2328A
History: FDS6910 | 15N10B | AP95T07AGP | AP2323AGN | SGSP491 | SI2307A | SI2328A
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor


