3400H - аналоги и даташиты транзистора

 

3400H - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 3400H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для 3400H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3400H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1216K  goford
 3400h.pdf pdf_icon

3400H

3400HGOFORDDescription DThe 3400H uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge.This device is suitable Gfor use as a load switch and PWM applications. SGenera Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) RDS(ON) ID @ (Typ) @10V 4.5V (Typ) @ 2.5V (Typ)m27 m m 40 5.830V 30 A High Power and current handing cap

Другие MOSFET... BRFL7N65 , BRFL7N80 , BRFL8N60 , IRFB3710 , 2312 , 06N06L , 18N10W , 2300F , RFP50N06 , 3415A , 80N06-251 , 8680A , G01N20R , G06N10 , G08N03D2 , G08N06S , G1006LE .

History: FHS80N08B | STU4N62K3 | DMP2120U | SSG4542C | DMC4028SSD | AUIRF1018E | IRLR3410TR

 

 
Back to Top

 


 
.