80N06-251 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 80N06-251
   Código: 80N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 71 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 36 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 80N06-251

80N06-251 Datasheet (PDF)

..1. Size:2169K goford
80n06-251.pdf

80N06-251GOFORDDescription The 80N06-251 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS R DS(ON) ID @ 10V (typ) 80 A60V 11.7 m Schematic diagram High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and cur

8.1. Size:61K st
stw80n06-10.pdf

STW80N06-10N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE"ULTRA HIGH DENSITY" POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) IDSTW80N06-10 60 V

8.2. Size:77K st
stp80n06-10.pdf

STP80N06-10N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE"ULTRA HIGH DENSITY" POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP80N06-10 60 V

8.3. Size:301K analog power
am80n06-05d.pdf

Analog Power AM80N06-05DN-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)5.9 @ VGS = 10V76 Low thermal impedance 606.6 @ VGS = 5.5V72 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIM

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Liste

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