G01N20R Todos los transistores

 

G01N20R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: G01N20R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.76 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

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G01N20R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2065K  goford
 g01n20r.pdf pdf_icon

G01N20R

GOFORDG01N20RDDescription The G01N20R uses advanced trench technology and Gdesign to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. SGeneral Features Schematic diagram VDSS R DS(ON) ID @ 10V (typ) 200V 1.34 2 A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and

Otros transistores... 2312 , 06N06L , 18N10W , 2300F , 3400H , 3415A , 80N06-251 , 8680A , AON7506 , G06N10 , G08N03D2 , G08N06S , G1006LE , G1007 , G10N10A , G110N06K , G12P10K .

History: TJ200F04M3L | IRF522FI | NCE60NF420 | PFF13N60 | NTB190N65S3HF | SML3520AN | BUZ330

 

 
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