G01N20R Todos los transistores

 

G01N20R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: G01N20R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.76 Ohm

Encapsulados: TO-92

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G01N20R datasheet

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G01N20R

GOFORD G01N20R D Description The G01N20R uses advanced trench technology and G design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. S General Features Schematic diagram VDSS R DS(ON) ID @ 10V (typ) 200V 1.34 2 A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and

Otros transistores... 2312 , 06N06L , 18N10W , 2300F , 3400H , 3415A , 80N06-251 , 8680A , IRFB3607 , G06N10 , G08N03D2 , G08N06S , G1006LE , G1007 , G10N10A , G110N06K , G12P10K .

History: IPA086N10N3

 

 

 

 

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