G01N20R - описание и поиск аналогов

 

G01N20R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G01N20R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.76 Ohm

Тип корпуса: TO-92

Аналог (замена) для G01N20R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G01N20R даташит

 ..1. Size:2065K  goford
 g01n20r.pdf pdf_icon

G01N20R

GOFORD G01N20R D Description The G01N20R uses advanced trench technology and G design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. S General Features Schematic diagram VDSS R DS(ON) ID @ 10V (typ) 200V 1.34 2 A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and

Другие MOSFET... 2312 , 06N06L , 18N10W , 2300F , 3400H , 3415A , 80N06-251 , 8680A , IRFB3607 , G06N10 , G08N03D2 , G08N06S , G1006LE , G1007 , G10N10A , G110N06K , G12P10K .

History: CEU50N06 | BSC072N03LD

 

 

 

 

↑ Back to Top
.