G01N20R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: G01N20R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.76 Ohm
Тип корпуса: TO-92
Аналог (замена) для G01N20R
G01N20R Datasheet (PDF)
g01n20r.pdf

GOFORDG01N20RDDescription The G01N20R uses advanced trench technology and Gdesign to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. SGeneral Features Schematic diagram VDSS R DS(ON) ID @ 10V (typ) 200V 1.34 2 A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and
Другие MOSFET... 2312 , 06N06L , 18N10W , 2300F , 3400H , 3415A , 80N06-251 , 8680A , AON7506 , G06N10 , G08N03D2 , G08N06S , G1006LE , G1007 , G10N10A , G110N06K , G12P10K .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet