Справочник MOSFET. G01N20R

 

G01N20R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G01N20R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.76 Ohm
   Тип корпуса: TO-92
 

 Аналог (замена) для G01N20R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G01N20R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2065K  goford
 g01n20r.pdf pdf_icon

G01N20R

GOFORDG01N20RDDescription The G01N20R uses advanced trench technology and Gdesign to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. SGeneral Features Schematic diagram VDSS R DS(ON) ID @ 10V (typ) 200V 1.34 2 A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and

Другие MOSFET... 2312 , 06N06L , 18N10W , 2300F , 3400H , 3415A , 80N06-251 , 8680A , AON7506 , G06N10 , G08N03D2 , G08N06S , G1006LE , G1007 , G10N10A , G110N06K , G12P10K .

History: CPC3703C | STFW69N65M5 | IRF522FI | FCH041N60E | GSM4516 | STD8N60DM2 | STH110N10F7-2

 

 
Back to Top

 


 
.