G06N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: G06N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
Encapsulados: TO-252
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G06N10 datasheet
g06n10.pdf
GOFORD G06N10 Description D The G06N10 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It G can be used in a wide variety of applications. General Features S Schematic diagram High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current Excellent package for good heat dissipation A
Otros transistores... 06N06L , 18N10W , 2300F , 3400H , 3415A , 80N06-251 , 8680A , G01N20R , AON6380 , G08N03D2 , G08N06S , G1006LE , G1007 , G10N10A , G110N06K , G12P10K , G13N04 .
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