G06N10 Todos los transistores

 

G06N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: G06N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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G06N10 Datasheet (PDF)

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G06N10

GOFORDG06N10Description DThe G06N10 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. General Features SSchematic diagram High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current Excellent package for good heat dissipation A

Otros transistores... 06N06L , 18N10W , 2300F , 3400H , 3415A , 80N06-251 , 8680A , G01N20R , IRLZ44N , G08N03D2 , G08N06S , G1006LE , G1007 , G10N10A , G110N06K , G12P10K , G13N04 .

History: IRF9321 | IRHE7110 | SKI03021 | SWI30N06 | IRFS130 | FTD04N60A | STP85NF55L

 

 
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