Справочник MOSFET. G06N10

 

G06N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G06N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

G06N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1708K  goford
 g06n10.pdf pdf_icon

G06N10

GOFORDG06N10Description DThe G06N10 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. General Features SSchematic diagram High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current Excellent package for good heat dissipation A

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: FY10AAJ-03F | IPB80N06S2L-07 | AM20N15-250D | RSD080P05 | 2SK2233 | 2N6756JAN | STF7N60M2

 

 
Back to Top

 


 
.