Справочник MOSFET. G06N10

 

G06N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G06N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для G06N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G06N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1708K  goford
 g06n10.pdf pdf_icon

G06N10

GOFORDG06N10Description DThe G06N10 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. General Features SSchematic diagram High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current Excellent package for good heat dissipation A

Другие MOSFET... 06N06L , 18N10W , 2300F , 3400H , 3415A , 80N06-251 , 8680A , G01N20R , IRLZ44N , G08N03D2 , G08N06S , G1006LE , G1007 , G10N10A , G110N06K , G12P10K , G13N04 .

History: 2SK962 | 2SJ537 | IRF7450PBF

 

 
Back to Top

 


 
.