G06N10 - описание и поиск аналогов

 

G06N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G06N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для G06N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G06N10 даташит

 ..1. Size:1708K  goford
 g06n10.pdf pdf_icon

G06N10

GOFORD G06N10 Description D The G06N10 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It G can be used in a wide variety of applications. General Features S Schematic diagram High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current Excellent package for good heat dissipation A

Другие MOSFET... 06N06L , 18N10W , 2300F , 3400H , 3415A , 80N06-251 , 8680A , G01N20R , AON6380 , G08N03D2 , G08N06S , G1006LE , G1007 , G10N10A , G110N06K , G12P10K , G13N04 .

History: HM1207E

 

 

 

 

↑ Back to Top
.