G08N03D2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: G08N03D2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 17 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 219 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2

Búsqueda de reemplazo de MOSFET G08N03D2

G08N03D2 Datasheet (PDF)

..1. Size:585K goford
g08n03d2.pdf

GOFORD G08N03D2N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe G08N03D2 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic diagram VDS 30V ID (at VGS = 10V) 8A RDS(ON) (at VGS = 10V)

9.1. Size:2141K goford
g08n06s.pdf

G08N06SGOFORDDescription The G08N06S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @ 10V (Typ) @ 4.5V (Typ)60V 24 m 30m 6 A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and curre

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: