Справочник MOSFET. G08N03D2

 

G08N03D2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: G08N03D2
   Маркировка: G08N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 17 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 15 nC
   Время нарастания (tr): 3.5 ns
   Выходная емкость (Cd): 219 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2

 Аналог (замена) для G08N03D2

 

 

G08N03D2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:585K  goford
 g08n03d2.pdf

G08N03D2 G08N03D2

GOFORD G08N03D2N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe G08N03D2 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic diagram VDS 30V ID (at VGS = 10V) 8A RDS(ON) (at VGS = 10V)

 9.1. Size:2141K  goford
 g08n06s.pdf

G08N03D2 G08N03D2

G08N06SGOFORDDescription The G08N06S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @ 10V (Typ) @ 4.5V (Typ)60V 24 m 30m 6 A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and curre

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top