Справочник MOSFET. G08N03D2

 

G08N03D2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G08N03D2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 219 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2
 

 Аналог (замена) для G08N03D2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G08N03D2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:585K  goford
 g08n03d2.pdf pdf_icon

G08N03D2

GOFORD G08N03D2N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe G08N03D2 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic diagram VDS 30V ID (at VGS = 10V) 8A RDS(ON) (at VGS = 10V)

 9.1. Size:2141K  goford
 g08n06s.pdf pdf_icon

G08N03D2

G08N06SGOFORDDescription The G08N06S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @ 10V (Typ) @ 4.5V (Typ)60V 24 m 30m 6 A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and curre

Другие MOSFET... 18N10W , 2300F , 3400H , 3415A , 80N06-251 , 8680A , G01N20R , G06N10 , AO4407 , G08N06S , G1006LE , G1007 , G10N10A , G110N06K , G12P10K , G13N04 , G15N10C .

History: R6520ENJ | S80N10S | JCS3910V | APM4927K | SI7459DP | NCE6005AS | PSMN2R8-40BS

 

 
Back to Top

 


 
.