G08N06S Todos los transistores

 

G08N06S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: G08N06S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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G08N06S datasheet

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G08N06S

G08N06S GOFORD Description The G08N06S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @ 10V (Typ) @ 4.5V (Typ) 60V 24 m 30m 6 A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and curre

 9.1. Size:585K  goford
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G08N06S

GOFORD G08N03D2 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G08N03D2 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDS 30V ID (at VGS = 10V) 8A RDS(ON) (at VGS = 10V)

Otros transistores... 2300F , 3400H , 3415A , 80N06-251 , 8680A , G01N20R , G06N10 , G08N03D2 , CS150N03A8 , G1006LE , G1007 , G10N10A , G110N06K , G12P10K , G13N04 , G15N10C , G16P03 .

 

 

 

 

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