Справочник MOSFET. G08N06S

 

G08N06S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: G08N06S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для G08N06S

 

 

G08N06S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2141K  goford
 g08n06s.pdf

G08N06S G08N06S

G08N06SGOFORDDescription The G08N06S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @ 10V (Typ) @ 4.5V (Typ)60V 24 m 30m 6 A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and curre

 9.1. Size:585K  goford
 g08n03d2.pdf

G08N06S G08N06S

GOFORD G08N03D2N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe G08N03D2 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic diagram VDS 30V ID (at VGS = 10V) 8A RDS(ON) (at VGS = 10V)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top