G08N06S - описание и поиск аналогов

 

G08N06S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G08N06S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для G08N06S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G08N06S даташит

 ..1. Size:2141K  goford
 g08n06s.pdf pdf_icon

G08N06S

G08N06S GOFORD Description The G08N06S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @ 10V (Typ) @ 4.5V (Typ) 60V 24 m 30m 6 A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and curre

 9.1. Size:585K  goford
 g08n03d2.pdf pdf_icon

G08N06S

GOFORD G08N03D2 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G08N03D2 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDS 30V ID (at VGS = 10V) 8A RDS(ON) (at VGS = 10V)

Другие MOSFET... 2300F , 3400H , 3415A , 80N06-251 , 8680A , G01N20R , G06N10 , G08N03D2 , CS150N03A8 , G1006LE , G1007 , G10N10A , G110N06K , G12P10K , G13N04 , G15N10C , G16P03 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.