G08N06S - аналоги и даташиты транзистора

 

G08N06S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: G08N06S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G08N06S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2141K  goford
 g08n06s.pdf pdf_icon

G08N06S

G08N06SGOFORDDescription The G08N06S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @ 10V (Typ) @ 4.5V (Typ)60V 24 m 30m 6 A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and curre

 9.1. Size:585K  goford
 g08n03d2.pdf pdf_icon

G08N06S

GOFORD G08N03D2N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe G08N03D2 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic diagram VDS 30V ID (at VGS = 10V) 8A RDS(ON) (at VGS = 10V)

Другие MOSFET... 2300F , 3400H , 3415A , 80N06-251 , 8680A , G01N20R , G06N10 , G08N03D2 , IRLB4132 , G1006LE , G1007 , G10N10A , G110N06K , G12P10K , G13N04 , G15N10C , G16P03 .

History: FQP9N50C | LSE65R180GF

 

 
Back to Top

 


 
.