G1006LE Todos los transistores

 

G1006LE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: G1006LE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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G1006LE Datasheet (PDF)

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G1006LE

GOFORD G1006LEN-Channel Trench MOSFETDescriptionThis Product uses advanced trench technologyMOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gatecharge. The complementary MOSFETs may be used toform a level shifted high side switch, and for a host ofother applications.Schematic diagramGeneral Features VDS 100V ID (at VGS = 10V) 3AG1006 RDS(ON) (at VGS = 10V)

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G1006LE

GOFORDG1006DDescription The G1006 uses advanced trench technology and Gdesign to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features SSchematic diagram VDSS RDS(ON) ID @10V (typ)6Am100V 110 High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and curren

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G1006LE

GOFORDG1006ADDescription The G1006A uses advanced trench technology and Gdesign to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. It is ESD protected. It is ESD protected.It is ESD protected.SGeneral Features Schematic diagram VDS = 100V,ID = 6A R

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