G1007 Todos los transistores

 

G1007 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: G1007

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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G1007 datasheet

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G1007

GOFORD G1007. General Description The G1007. combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for power switching application and LED backlighting. Features RDS(ON) VDSS ID Schematic Diagram @10V (typ) 100V 7A 70 m Ultra Low On-Resistance High UIS and UIS 100% Test Application

Otros transistores... 3415A , 80N06-251 , 8680A , G01N20R , G06N10 , G08N03D2 , G08N06S , G1006LE , AON7506 , G10N10A , G110N06K , G12P10K , G13N04 , G15N10C , G16P03 , G16P03S , G18N20K .

History: SWB065R68E7T | 2SK3111 | IRF7313PBF-1 | HY3410M | 4N65KL-TF3-T | IRF720SPBF | MMN400A006U1

 

 

 

 

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