G1007 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: G1007
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET G1007

G1007 Datasheet (PDF)

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g1007.pdf

GOFORDG1007.General Description The G1007. combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for power switching application and LED backlighting. Features RDS(ON) VDSS ID Schematic Diagram@10V (typ) 100V 7A 70m Ultra Low On-Resistance High UIS and UIS 100% Test Application

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Liste

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