G1007 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: G1007
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 28 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.6 V
   Carga de la puerta (Qg): 11 nC
   Tiempo de subida (tr): 3 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 120 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET G1007

G1007 Datasheet (PDF)

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g1007.pdf

GOFORDG1007.General Description The G1007. combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for power switching application and LED backlighting. Features RDS(ON) VDSS ID Schematic Diagram@10V (typ) 100V 7A 70m Ultra Low On-Resistance High UIS and UIS 100% Test Application

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Liste

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