G1007 - описание и поиск аналогов

 

G1007. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G1007

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для G1007

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G1007 даташит

 ..1. Size:1325K  goford
 g1007.pdf pdf_icon

G1007

GOFORD G1007. General Description The G1007. combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for power switching application and LED backlighting. Features RDS(ON) VDSS ID Schematic Diagram @10V (typ) 100V 7A 70 m Ultra Low On-Resistance High UIS and UIS 100% Test Application

Другие MOSFET... 3415A , 80N06-251 , 8680A , G01N20R , G06N10 , G08N03D2 , G08N06S , G1006LE , AON7506 , G10N10A , G110N06K , G12P10K , G13N04 , G15N10C , G16P03 , G16P03S , G18N20K .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.