Справочник MOSFET. G1007

 

G1007 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G1007
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для G1007

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G1007 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1325K  goford
 g1007.pdf pdf_icon

G1007

GOFORDG1007.General Description The G1007. combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for power switching application and LED backlighting. Features RDS(ON) VDSS ID Schematic Diagram@10V (typ) 100V 7A 70m Ultra Low On-Resistance High UIS and UIS 100% Test Application

Другие MOSFET... 3415A , 80N06-251 , 8680A , G01N20R , G06N10 , G08N03D2 , G08N06S , G1006LE , IRFP250 , G10N10A , G110N06K , G12P10K , G13N04 , G15N10C , G16P03 , G16P03S , G18N20K .

History: WM06N03LE | IPD60R3K4CE | IPI076N12N3G | KI5P04DS | CM10N60F | SSF1016D | NCEP3065BQU

 

 
Back to Top

 


 
.