G12P10K Todos los transistores

 

G12P10K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: G12P10K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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G12P10K Datasheet (PDF)

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G12P10K

GOFORD G12P10KP-Channel Trench MOSFETDescription The G12P10K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS -100VSchematic diagram - ID (at VGS = 10V) -12A-RDS(ON) (at VGS = 10V)

Otros transistores... G01N20R , G06N10 , G08N03D2 , G08N06S , G1006LE , G1007 , G10N10A , G110N06K , IRFZ24N , G13N04 , G15N10C , G16P03 , G16P03S , G18N20K , G1NP02ELL , G2003A , G20N06J .

History: MSU5N60F | IPAN60R650CE

 

 
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