G12P10K Todos los transistores

 

G12P10K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: G12P10K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: TO-252

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G12P10K datasheet

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G12P10K

GOFORD G12P10K P-Channel Trench MOSFET Description The G12P10K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS -100V Schematic diagram - ID (at VGS = 10V) -12A - RDS(ON) (at VGS = 10V)

Otros transistores... G01N20R , G06N10 , G08N03D2 , G08N06S , G1006LE , G1007 , G10N10A , G110N06K , TK10A60D , G13N04 , G15N10C , G16P03 , G16P03S , G18N20K , G1NP02ELL , G2003A , G20N06J .

History: STW45NM60D | MMN400A006U1 | IRF720SPBF | 2SK1142 | 2SK3111 | IRF7313PBF-1 | 4N65KL-TF3-T

 

 

 

 

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