Справочник MOSFET. G12P10K

 

G12P10K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G12P10K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для G12P10K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G12P10K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:834K  goford
 g12p10k.pdf pdf_icon

G12P10K

GOFORD G12P10KP-Channel Trench MOSFETDescription The G12P10K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS -100VSchematic diagram - ID (at VGS = 10V) -12A-RDS(ON) (at VGS = 10V)

Другие MOSFET... G01N20R , G06N10 , G08N03D2 , G08N06S , G1006LE , G1007 , G10N10A , G110N06K , IRFZ24N , G13N04 , G15N10C , G16P03 , G16P03S , G18N20K , G1NP02ELL , G2003A , G20N06J .

History: 5N60L-TM3-T | IRF7704 | FQPF12N60CT | BL15N25-A | IRFPE20

 

 
Back to Top

 


 
.