G12P10K - описание и поиск аналогов

 

G12P10K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G12P10K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для G12P10K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G12P10K даташит

 ..1. Size:834K  goford
 g12p10k.pdf pdf_icon

G12P10K

GOFORD G12P10K P-Channel Trench MOSFET Description The G12P10K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS -100V Schematic diagram - ID (at VGS = 10V) -12A - RDS(ON) (at VGS = 10V)

Другие MOSFET... G01N20R , G06N10 , G08N03D2 , G08N06S , G1006LE , G1007 , G10N10A , G110N06K , TK10A60D , G13N04 , G15N10C , G16P03 , G16P03S , G18N20K , G1NP02ELL , G2003A , G20N06J .

History: SWB042R10ES | SWP075R06ET | RUE002N02 | SWD740D | HY3410PM | RF4E110BN | HY3410B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.