G13N04 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: G13N04
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 209 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Encapsulados: SOP-8
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G13N04 datasheet
g13n04.pdf
GOFORD G13N04 Description The G13N04 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @ (typ) @ 4.5V 10V (typ) m m 40V 13 10 13A High density cell design for ultra low Rdson Marking and pin Assignment Full
Otros transistores... G06N10 , G08N03D2 , G08N06S , G1006LE , G1007 , G10N10A , G110N06K , G12P10K , AO4407 , G15N10C , G16P03 , G16P03S , G18N20K , G1NP02ELL , G2003A , G20N06J , G3035-23 .
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