Справочник MOSFET. G13N04

 

G13N04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G13N04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 209 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для G13N04

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G13N04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1572K  goford
 g13n04.pdf pdf_icon

G13N04

GOFORDG13N04Description The G13N04 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @ (typ) @4.5V 10V (typ)m m40V 13 10 13A High density cell design for ultra low Rdson Marking and pin Assignment Full

Другие MOSFET... G06N10 , G08N03D2 , G08N06S , G1006LE , G1007 , G10N10A , G110N06K , G12P10K , P60NF06 , G15N10C , G16P03 , G16P03S , G18N20K , G1NP02ELL , G2003A , G20N06J , G3035-23 .

History: NTMFS5C646NLT3G | IRF7509 | 2N3458

 

 
Back to Top

 


 
.