G13N04 - описание и поиск аналогов

 

G13N04. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G13N04

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 209 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для G13N04

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G13N04 даташит

 ..1. Size:1572K  goford
 g13n04.pdf pdf_icon

G13N04

GOFORD G13N04 Description The G13N04 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @ (typ) @ 4.5V 10V (typ) m m 40V 13 10 13A High density cell design for ultra low Rdson Marking and pin Assignment Full

Другие MOSFET... G06N10 , G08N03D2 , G08N06S , G1006LE , G1007 , G10N10A , G110N06K , G12P10K , AO4407 , G15N10C , G16P03 , G16P03S , G18N20K , G1NP02ELL , G2003A , G20N06J , G3035-23 .

History: SI2305CDS | WPM2341-MS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.