G1NP02ELL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: G1NP02ELL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.12 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.36 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.37 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23-6
Búsqueda de reemplazo de G1NP02ELL MOSFET
G1NP02ELL Datasheet (PDF)
g1np02ell.pdf

GOFORD G1NP02ELLN and P Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThis Product uses advanced trench technologyMOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gatecharge. The complementary MOSFETs may be used toform a level shifted high side switch, and for a host ofother applications.General FeaturesSchematic diagram NMOS VDS 20V ID (at VGS = 10V) 1.36A
Otros transistores... G10N10A , G110N06K , G12P10K , G13N04 , G15N10C , G16P03 , G16P03S , G18N20K , 5N65 , G2003A , G20N06J , G3035-23 , G30N03A , G30N03D3 , G30N04D3 , G30N20K , G30N20T .
History: IRFP257 | SFS04R02DNF | 8680A | IRFR9012 | CSD40N70 | SWD10N50K | CS2N80A3HY
History: IRFP257 | SFS04R02DNF | 8680A | IRFR9012 | CSD40N70 | SWD10N50K | CS2N80A3HY



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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