G1NP02ELL Todos los transistores

 

G1NP02ELL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: G1NP02ELL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.12 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.36 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.37 Ohm

Encapsulados: SOT-23-6

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G1NP02ELL datasheet

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G1NP02ELL

GOFORD G1NP02ELL N and P Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description This Product uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features Schematic diagram NMOS VDS 20V ID (at VGS = 10V) 1.36A

Otros transistores... G10N10A , G110N06K , G12P10K , G13N04 , G15N10C , G16P03 , G16P03S , G18N20K , 2SK3568 , G2003A , G20N06J , G3035-23 , G30N03A , G30N03D3 , G30N04D3 , G30N20K , G30N20T .

History: SID9971 | SES760 | AP3N2R8H | HY1001P | BUK457-400A | 2SJ0582 | 15N05

 

 

 

 

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