G1NP02ELL Todos los transistores

 

G1NP02ELL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: G1NP02ELL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.12 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.37 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23-6
 

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G1NP02ELL Datasheet (PDF)

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G1NP02ELL

GOFORD G1NP02ELLN and P Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThis Product uses advanced trench technologyMOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gatecharge. The complementary MOSFETs may be used toform a level shifted high side switch, and for a host ofother applications.General FeaturesSchematic diagram NMOS VDS 20V ID (at VGS = 10V) 1.36A

Otros transistores... G10N10A , G110N06K , G12P10K , G13N04 , G15N10C , G16P03 , G16P03S , G18N20K , 2SK3568 , G2003A , G20N06J , G3035-23 , G30N03A , G30N03D3 , G30N04D3 , G30N20K , G30N20T .

History: FCPF250N65S3L1 | .8205A | AP10TN135H

 

 
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