G1NP02ELL - аналоги и даташиты транзистора

 

G1NP02ELL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: G1NP02ELL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.12 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.37 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23-6
 

 Аналог (замена) для G1NP02ELL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G1NP02ELL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:898K  goford
 g1np02ell.pdf pdf_icon

G1NP02ELL

GOFORD G1NP02ELLN and P Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThis Product uses advanced trench technologyMOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gatecharge. The complementary MOSFETs may be used toform a level shifted high side switch, and for a host ofother applications.General FeaturesSchematic diagram NMOS VDS 20V ID (at VGS = 10V) 1.36A

Другие MOSFET... G10N10A , G110N06K , G12P10K , G13N04 , G15N10C , G16P03 , G16P03S , G18N20K , 5N65 , G2003A , G20N06J , G3035-23 , G30N03A , G30N03D3 , G30N04D3 , G30N20K , G30N20T .

History: 2SK3354-ZJ | WMJ53N60F2 | SIHF620 | 5N70GS | 3401A | AP10TN040P

 

 
Back to Top

 


 
.