G1NP02ELL - описание и поиск аналогов

 

G1NP02ELL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G1NP02ELL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.12 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.37 Ohm

Тип корпуса: SOT-23-6

Аналог (замена) для G1NP02ELL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G1NP02ELL даташит

 ..1. Size:898K  goford
 g1np02ell.pdf pdf_icon

G1NP02ELL

GOFORD G1NP02ELL N and P Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description This Product uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features Schematic diagram NMOS VDS 20V ID (at VGS = 10V) 1.36A

Другие MOSFET... G10N10A , G110N06K , G12P10K , G13N04 , G15N10C , G16P03 , G16P03S , G18N20K , 2SK3568 , G2003A , G20N06J , G3035-23 , G30N03A , G30N03D3 , G30N04D3 , G30N20K , G30N20T .

History: 2SK1540L | HX3401A | XP161A1265PR-G | SMNY2Z30 | AOW10N60 | 2SK2551 | G18N20K

 

 

 

 

↑ Back to Top
.