Справочник MOSFET. G1NP02ELL

 

G1NP02ELL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G1NP02ELL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.12 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.36 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.37 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

G1NP02ELL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:898K  goford
 g1np02ell.pdf pdf_icon

G1NP02ELL

GOFORD G1NP02ELLN and P Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThis Product uses advanced trench technologyMOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gatecharge. The complementary MOSFETs may be used toform a level shifted high side switch, and for a host ofother applications.General FeaturesSchematic diagram NMOS VDS 20V ID (at VGS = 10V) 1.36A

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AP3987P | AP6P064JB | 2SK3572-Z | KIA7N60H-262 | SIR468DP | IRHLUC7670Z4 | FRL234R

 

 
Back to Top

 


 
.