G3035-23 Todos los transistores

 

G3035-23 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: G3035-23

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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G3035-23 datasheet

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G3035-23

GOFORD G3035-23 Description D The G3035-23 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load G switch or in PWM applications. General Features S Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @ (Typ) @ -4.5V -10V (Typ) m m -5 -30V 58 40 A High power and current handing capability Lead free product is ac

Otros transistores... G13N04 , G15N10C , G16P03 , G16P03S , G18N20K , G1NP02ELL , G2003A , G20N06J , RFP50N06 , G30N03A , G30N03D3 , G30N04D3 , G30N20K , G30N20T , G30N20F , G33N03D3 , G48N03D3 .

History: FQD2N80 | MEM564C

 

 

 

 

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