G3035-23 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: G3035-23
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

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G3035-23 Datasheet (PDF)

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g3035-23.pdf

GOFORDG3035-23Description DThe G3035-23 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load Gswitch or in PWM applications. General Features SSchematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @ (Typ) @-4.5V -10V (Typ)m m -5-30V 58 40 A High power and current handing capability Lead free product is ac

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Liste

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