Справочник MOSFET. G3035-23

 

G3035-23 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G3035-23
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для G3035-23

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G3035-23 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2021K  goford
 g3035-23.pdf pdf_icon

G3035-23

GOFORDG3035-23Description DThe G3035-23 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load Gswitch or in PWM applications. General Features SSchematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @ (Typ) @-4.5V -10V (Typ)m m -5-30V 58 40 A High power and current handing capability Lead free product is ac

Другие MOSFET... G13N04 , G15N10C , G16P03 , G16P03S , G18N20K , G1NP02ELL , G2003A , G20N06J , SKD502T , G30N03A , G30N03D3 , G30N04D3 , G30N20K , G30N20T , G30N20F , G33N03D3 , G48N03D3 .

History: G30N20F | SM1F00NSF | STB130NS04ZB-1

 

 
Back to Top

 


 
.