Справочник MOSFET. G3035-23

 

G3035-23 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: G3035-23
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 12.5 nC
   Время нарастания (tr): 4.5 ns
   Выходная емкость (Cd): 105 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.055 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для G3035-23

 

 

G3035-23 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2021K  goford
 g3035-23.pdf

G3035-23 G3035-23

GOFORDG3035-23Description DThe G3035-23 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load Gswitch or in PWM applications. General Features SSchematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @ (Typ) @-4.5V -10V (Typ)m m -5-30V 58 40 A High power and current handing capability Lead free product is ac

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: QM3007K

 

 
Back to Top