G3035-23 - описание и поиск аналогов

 

G3035-23. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G3035-23

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для G3035-23

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G3035-23 даташит

 ..1. Size:2021K  goford
 g3035-23.pdf pdf_icon

G3035-23

GOFORD G3035-23 Description D The G3035-23 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load G switch or in PWM applications. General Features S Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @ (Typ) @ -4.5V -10V (Typ) m m -5 -30V 58 40 A High power and current handing capability Lead free product is ac

Другие MOSFET... G13N04 , G15N10C , G16P03 , G16P03S , G18N20K , G1NP02ELL , G2003A , G20N06J , RFP50N06 , G30N03A , G30N03D3 , G30N04D3 , G30N20K , G30N20T , G30N20F , G33N03D3 , G48N03D3 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.