G30N20F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: G30N20F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 163 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
Encapsulados: TO-220F
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G30N20F datasheet
g30n20k g30n20t g30n20f.pdf
GOFORD G30N20 Description The G30N20 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) ID @ 10V (Typ) 200V 62m 30A Schematic diagram High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current
Otros transistores... G2003A , G20N06J , G3035-23 , G30N03A , G30N03D3 , G30N04D3 , G30N20K , G30N20T , IRF2807 , G33N03D3 , G48N03D3 , G4N60K , G50N03A , G50N03K , G5N50T , G5N50F , G5N50J .
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