Справочник MOSFET. G30N20F

 

G30N20F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G30N20F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 163 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для G30N20F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G30N20F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4018K  goford
 g30n20k g30n20t g30n20f.pdf pdf_icon

G30N20F

GOFORDG30N20Description The G30N20 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) ID @10V (Typ)200V 62m 30A Schematic diagram High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

Другие MOSFET... G2003A , G20N06J , G3035-23 , G30N03A , G30N03D3 , G30N04D3 , G30N20K , G30N20T , IRFB31N20D , G33N03D3 , G48N03D3 , G4N60K , G50N03A , G50N03K , G5N50T , G5N50F , G5N50J .

History: MDP1933TH | IXFK44N55Q | FMV05N60E | APT30M40JVFR | H5N2504DS | 2N6799-SM | SIHF530

 

 
Back to Top

 


 
.