G33N03D3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: G33N03D3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 142 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN3.3X3.3-8L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET G33N03D3
G33N03D3 Datasheet (PDF)
g33n03d3.pdf
GOFORDG33N03D3N-Channel Trench MOSFETDescriptionThe G33N03D3 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic Diagram VDS 30V ID (at VGS = 10V) 33A RDS(ON) (at VGS = 10V)
g33n03d3.pdf
GOFORDG33N03D3N-Channel Trench MOSFETDescriptionThe G33N03D3 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic Diagram VDS 30V ID (at VGS = 10V) 33A RDS(ON) (at VGS = 10V)
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