G33N03D3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: G33N03D3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 142 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Encapsulados: DFN3.3X3.3-8L
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G33N03D3 datasheet
g33n03d3.pdf
GOFORD G33N03D3 N-Channel Trench MOSFET Description The G33N03D3 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic Diagram VDS 30V ID (at VGS = 10V) 33A RDS(ON) (at VGS = 10V)
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GOFORD G33N03D3 N-Channel Trench MOSFET Description The G33N03D3 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic Diagram VDS 30V ID (at VGS = 10V) 33A RDS(ON) (at VGS = 10V)
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History: SML4040AN | 2SK2719 | AP8810 | XP161
History: SML4040AN | 2SK2719 | AP8810 | XP161
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