G33N03D3. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: G33N03D3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 142 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: DFN3.3X3.3-8L
Аналог (замена) для G33N03D3
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
G33N03D3 даташит
g33n03d3.pdf
GOFORD G33N03D3 N-Channel Trench MOSFET Description The G33N03D3 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic Diagram VDS 30V ID (at VGS = 10V) 33A RDS(ON) (at VGS = 10V)
g33n03d3.pdf
GOFORD G33N03D3 N-Channel Trench MOSFET Description The G33N03D3 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic Diagram VDS 30V ID (at VGS = 10V) 33A RDS(ON) (at VGS = 10V)
Другие MOSFET... G20N06J , G3035-23 , G30N03A , G30N03D3 , G30N04D3 , G30N20K , G30N20T , G30N20F , STF13NM60N , G48N03D3 , G4N60K , G50N03A , G50N03K , G5N50T , G5N50F , G5N50J , G5N50K .
History: BRF5N50 | APT10026L2FLL
History: BRF5N50 | APT10026L2FLL
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent | 2n554 | 2sa1011 | 2sa1283 | 2sb646 | 2sc1885 datasheet