G33N03D3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: G33N03D3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 142 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: DFN3.3X3.3-8L
Аналог (замена) для G33N03D3
G33N03D3 Datasheet (PDF)
g33n03d3.pdf
GOFORDG33N03D3N-Channel Trench MOSFETDescriptionThe G33N03D3 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic Diagram VDS 30V ID (at VGS = 10V) 33A RDS(ON) (at VGS = 10V)
g33n03d3.pdf
GOFORDG33N03D3N-Channel Trench MOSFETDescriptionThe G33N03D3 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic Diagram VDS 30V ID (at VGS = 10V) 33A RDS(ON) (at VGS = 10V)
Другие MOSFET... G20N06J , G3035-23 , G30N03A , G30N03D3 , G30N04D3 , G30N20K , G30N20T , G30N20F , IRF2807 , G48N03D3 , G4N60K , G50N03A , G50N03K , G5N50T , G5N50F , G5N50J , G5N50K .
History: AP3407S | FTK4703
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent | 2n554 | 2sa1011 | 2sa1283 | 2sb646 | 2sc1885 datasheet