Справочник MOSFET. G33N03D3

 

G33N03D3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G33N03D3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 142 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3-8L
 

 Аналог (замена) для G33N03D3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G33N03D3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:566K  1
 g33n03d3.pdf pdf_icon

G33N03D3

GOFORDG33N03D3N-Channel Trench MOSFETDescriptionThe G33N03D3 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic Diagram VDS 30V ID (at VGS = 10V) 33A RDS(ON) (at VGS = 10V)

 ..2. Size:566K  goford
 g33n03d3.pdf pdf_icon

G33N03D3

GOFORDG33N03D3N-Channel Trench MOSFETDescriptionThe G33N03D3 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic Diagram VDS 30V ID (at VGS = 10V) 33A RDS(ON) (at VGS = 10V)

Другие MOSFET... G20N06J , G3035-23 , G30N03A , G30N03D3 , G30N04D3 , G30N20K , G30N20T , G30N20F , IRF2807 , G48N03D3 , G4N60K , G50N03A , G50N03K , G5N50T , G5N50F , G5N50J , G5N50K .

History: PS03P20SA | MTM6N90 | STB190NF04T4 | IRFS240 | HSBA3058 | R6004ENJ | IRF3710SPBF

 

 
Back to Top

 


 
.