G48N03D3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: G48N03D3
   Código: G48N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 42 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3-8L

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G48N03D3 Datasheet (PDF)

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g48n03d3.pdf

GOFORDG48N03D3Description General Features VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @10V (Typ) @4.5V (Typ)30V 4.2m 7.1m 48A Schematic diagram Advanced Trench Technology Provide Excellent R and Low Gate Charge DS(ON) RoHS CompliantG48N03Application Load Switch PWM Application Power management Marking and pin assignment DFN3* 3-8LOr

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: