G48N03D3 - описание и поиск аналогов

 

G48N03D3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G48N03D3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3-8L

Аналог (замена) для G48N03D3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G48N03D3 даташит

 ..1. Size:1798K  goford
 g48n03d3.pdf pdf_icon

G48N03D3

GOFORD G48N03D3 Description General Features VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @ 10V (Typ) @4.5V (Typ) 30V 4.2m 7.1m 48A Schematic diagram Advanced Trench Technology Provide Excellent R and Low Gate Charge DS(ON) RoHS Compliant G48N03 Application Load Switch PWM Application Power management Marking and pin assignment DFN3* 3-8L Or

Другие MOSFET... G3035-23 , G30N03A , G30N03D3 , G30N04D3 , G30N20K , G30N20T , G30N20F , G33N03D3 , IRFZ24N , G4N60K , G50N03A , G50N03K , G5N50T , G5N50F , G5N50J , G5N50K , G6P06 .

History: 2SK3092I | SE6020B | SVT088R0NT | SEFM460

 

 

 

 

↑ Back to Top
.