G48N03D3 - аналоги и даташиты транзистора

 

G48N03D3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: G48N03D3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3-8L
 

 Аналог (замена) для G48N03D3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G48N03D3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1798K  goford
 g48n03d3.pdf pdf_icon

G48N03D3

GOFORDG48N03D3Description General Features VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @10V (Typ) @4.5V (Typ)30V 4.2m 7.1m 48A Schematic diagram Advanced Trench Technology Provide Excellent R and Low Gate Charge DS(ON) RoHS CompliantG48N03Application Load Switch PWM Application Power management Marking and pin assignment DFN3* 3-8LOr

Другие MOSFET... G3035-23 , G30N03A , G30N03D3 , G30N04D3 , G30N20K , G30N20T , G30N20F , G33N03D3 , 8N60 , G4N60K , G50N03A , G50N03K , G5N50T , G5N50F , G5N50J , G5N50K , G6P06 .

History: XG65T125PS1B | NTMFS4701NT1G | VS3622DP3 | FDS6676AS | IRHMS67264 | UTT18P06 | IRLR3802PBF

 

 
Back to Top

 


 
.