G5N50J MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: G5N50J
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 58.8 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Encapsulados: TO-251
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G5N50J datasheet
g5n50t g5n50f g5n50j g5n50k.pdf
G5N50K GOFORD Description 500V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Application Features R DS(ON)(Max) I VDSS D .@ VGS = 10V DC Motor Control and Class D Amplifier 500V 5A Uninterruptible Power Supply (UPS) 1.4 Fast switching HID 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS Compliant & Halogen-Free Package Ordering Informa
lnc5n50 lnd5n50 lng5n50 lnh5n50.pdf
LNC5N50 LND5N50 LNG5N50 LNH5N50 Lonten N-channel 500V, 5A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 500V DSS advanced planar VDMOS technology. The I 5A D resulting device has low conduction resistance, R 1.6 DS(on),max superior switching performance and high avalanche Q 12.8 nC g,typ energy. Features Low R DS(on) Low gate charge
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History: DMP4047SK3 | BSZ15DC02KD | JMSH1008PK
History: DMP4047SK3 | BSZ15DC02KD | JMSH1008PK
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