G5N50J MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: G5N50J
Código: G5N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 45 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 13.4 nC
Tiempo de subida (tr): 11.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 58.8 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET G5N50J
G5N50J Datasheet (PDF)
g5n50t g5n50f g5n50j g5n50k.pdf
G5N50KGOFORDDescription 500V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET ApplicationFeaturesR DS(ON)(Max)IVDSS D .@ VGS = 10V DC Motor Control and Class D Amplifier 500V 5A Uninterruptible Power Supply (UPS) 1.4 Fast switching HID 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS Compliant & Halogen-Free Package Ordering Informa
lnc5n50 lnd5n50 lng5n50 lnh5n50.pdf
LNC5N50\LND5N50\LNG5N50\LNH5N50Lonten N-channel 500V, 5A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 500VDSSadvanced planar VDMOS technology. The I 5ADresulting device has low conduction resistance, R 1.6DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 12.8 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge
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