G5N50J MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: G5N50J
Маркировка: G5N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 13.4 nC
Время нарастания (tr): 11.5 ns
Выходная емкость (Cd): 58.8 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO-251
G5N50J Datasheet (PDF)
g5n50t g5n50f g5n50j g5n50k.pdf
G5N50KGOFORDDescription 500V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET ApplicationFeaturesR DS(ON)(Max)IVDSS D .@ VGS = 10V DC Motor Control and Class D Amplifier 500V 5A Uninterruptible Power Supply (UPS) 1.4 Fast switching HID 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS Compliant & Halogen-Free Package Ordering Informa
lnc5n50 lnd5n50 lng5n50 lnh5n50.pdf
LNC5N50\LND5N50\LNG5N50\LNH5N50Lonten N-channel 500V, 5A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 500VDSSadvanced planar VDMOS technology. The I 5ADresulting device has low conduction resistance, R 1.6DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 12.8 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
