G6P06 Todos los transistores

 

G6P06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: G6P06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.096 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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G6P06 datasheet

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G6P06

GOFORD G6P06 D Description The G6P06 uses advanced trench technology and design G to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. S Schematic diagram General Features VDSS RDS(ON) ) RDS(ON ID @ -10V (Typ) @ -4.5V (Typ) -60V 80m 100m -4A G6P06 Super high dense cell design Advanced trench process techno

Otros transistores... G48N03D3 , G4N60K , G50N03A , G50N03K , G5N50T , G5N50F , G5N50J , G5N50K , IRF1405 , G7P03L , G86N06K , G90N04 , GC11N65T , GC11N65F , GC11N65K , GC11N70K , GC11N70T .

History: SDD05N04 | SE6003C | ELM57801GA

 

 

 

 

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