G6P06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: G6P06
   Código: G6P06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 3.1 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 24 nC
   Tiempo de subida (tr): 5 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 70 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.096 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET G6P06

G6P06 Datasheet (PDF)

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g6p06.pdf

GOFORDG6P06DDescriptionThe G6P06 uses advanced trench technology and design Gto provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.SSchematic diagram General FeaturesVDSS RDS(ON) ) RDS(ON ID @-10V (Typ) @ -4.5V (Typ)-60V 80m 100m -4AG6P06Super high dense cell designAdvanced trench process techno

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Liste

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