G6P06 Todos los transistores

 

G6P06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: G6P06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.096 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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G6P06 Datasheet (PDF)

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G6P06

GOFORDG6P06DDescriptionThe G6P06 uses advanced trench technology and design Gto provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.SSchematic diagram General FeaturesVDSS RDS(ON) ) RDS(ON ID @-10V (Typ) @ -4.5V (Typ)-60V 80m 100m -4AG6P06Super high dense cell designAdvanced trench process techno

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History: RJK1206JPD

 

 
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