G6P06 - описание и поиск аналогов

 

G6P06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G6P06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.096 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для G6P06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G6P06 даташит

 ..1. Size:1423K  goford
 g6p06.pdf pdf_icon

G6P06

GOFORD G6P06 D Description The G6P06 uses advanced trench technology and design G to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. S Schematic diagram General Features VDSS RDS(ON) ) RDS(ON ID @ -10V (Typ) @ -4.5V (Typ) -60V 80m 100m -4A G6P06 Super high dense cell design Advanced trench process techno

Другие MOSFET... G48N03D3 , G4N60K , G50N03A , G50N03K , G5N50T , G5N50F , G5N50J , G5N50K , IRF1405 , G7P03L , G86N06K , G90N04 , GC11N65T , GC11N65F , GC11N65K , GC11N70K , GC11N70T .

History: SK07N65B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.