Справочник MOSFET. G6P06

 

G6P06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G6P06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.096 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для G6P06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G6P06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1423K  goford
 g6p06.pdf pdf_icon

G6P06

GOFORDG6P06DDescriptionThe G6P06 uses advanced trench technology and design Gto provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.SSchematic diagram General FeaturesVDSS RDS(ON) ) RDS(ON ID @-10V (Typ) @ -4.5V (Typ)-60V 80m 100m -4AG6P06Super high dense cell designAdvanced trench process techno

Другие MOSFET... G48N03D3 , G4N60K , G50N03A , G50N03K , G5N50T , G5N50F , G5N50J , G5N50K , NCEP15T14 , G7P03L , G86N06K , G90N04 , GC11N65T , GC11N65F , GC11N65K , GC11N70K , GC11N70T .

History: VBZM75N03 | NTMFS4H02N | NDP610AE | UTT60N10 | SE200100G

 

 
Back to Top

 


 
.