G7P03L Todos los transistores

 

G7P03L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: G7P03L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0205 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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G7P03L Datasheet (PDF)

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G7P03L

GOFORD G7P03L DDescription The G7P03L uses advanced trench technology to provide Gexcellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON)voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in Power management. SSchematic diagram General Features VDSS RDS (on) RDS (on) ID @ -10V (Typ) @ -4.5V (Typ) G07P03m 23m -7 -30V 19

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History: IRF640SPBF | HM10P10Q | P1203ED | NCEP15T18T | WPM2005B | SQV90N06-05 | IRHM7360SE

 

 
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