G7P03L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: G7P03L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0205 Ohm
Encapsulados: SOT-23
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G7P03L datasheet
g7p03l.pdf
GOFORD G7P03L D Description The G7P03L uses advanced trench technology to provide G excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON) voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in Power management. S Schematic diagram General Features VDSS RDS (on) RDS (on) ID @ -10V (Typ) @ -4.5V (Typ) G07P03 m 23m -7 -30V 19
Otros transistores... G4N60K , G50N03A , G50N03K , G5N50T , G5N50F , G5N50J , G5N50K , G6P06 , 7N60 , G86N06K , G90N04 , GC11N65T , GC11N65F , GC11N65K , GC11N70K , GC11N70T , GC11N70F .
History: ME60N03-G
History: ME60N03-G
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