G7P03L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: G7P03L
Código: G7P03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.9 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.1 V
Carga de la puerta (Qg): 27 nC
Tiempo de subida (tr): 22 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 300 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0205 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
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G7P03L Datasheet (PDF)
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GOFORD G7P03L DDescription The G7P03L uses advanced trench technology to provide Gexcellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON)voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in Power management. SSchematic diagram General Features VDSS RDS (on) RDS (on) ID @ -10V (Typ) @ -4.5V (Typ) G07P03m 23m -7 -30V 19
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
