Справочник MOSFET. G7P03L

 

G7P03L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G7P03L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0205 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для G7P03L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G7P03L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1184K  goford
 g7p03l.pdf pdf_icon

G7P03L

GOFORD G7P03L DDescription The G7P03L uses advanced trench technology to provide Gexcellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON)voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in Power management. SSchematic diagram General Features VDSS RDS (on) RDS (on) ID @ -10V (Typ) @ -4.5V (Typ) G07P03m 23m -7 -30V 19

Другие MOSFET... G4N60K , G50N03A , G50N03K , G5N50T , G5N50F , G5N50J , G5N50K , G6P06 , MMIS60R580P , G86N06K , G90N04 , GC11N65T , GC11N65F , GC11N65K , GC11N70K , GC11N70T , GC11N70F .

History: SHD225503 | OSG95R750FF | NP80N03MLE | NCE70T900F | HMS4N70I | BUK9Y153-100E | TPB65R260M

 

 
Back to Top

 


 
.