G7P03L - описание и поиск аналогов

 

G7P03L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G7P03L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0205 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для G7P03L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G7P03L даташит

 ..1. Size:1184K  goford
 g7p03l.pdf pdf_icon

G7P03L

GOFORD G7P03L D Description The G7P03L uses advanced trench technology to provide G excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON) voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in Power management. S Schematic diagram General Features VDSS RDS (on) RDS (on) ID @ -10V (Typ) @ -4.5V (Typ) G07P03 m 23m -7 -30V 19

Другие MOSFET... G4N60K , G50N03A , G50N03K , G5N50T , G5N50F , G5N50J , G5N50K , G6P06 , 7N60 , G86N06K , G90N04 , GC11N65T , GC11N65F , GC11N65K , GC11N70K , GC11N70T , GC11N70F .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.