G86N06K Todos los transistores

 

G86N06K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: G86N06K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 68 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 281 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0084 Ohm

Encapsulados: TO-252

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G86N06K datasheet

 ..1. Size:864K  goford
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G86N06K

G86N06K GOFORD Description VDS S RDS (on) ID The G86N06K uses advanced trench technology to provide @ (Typ.) 10V excellent R , low gate charge and rugged E DS(ON) AS capability. This device is suitable for PWM, load switching 60V 7.9m 68 A especially for E-Bike controller application. D General Features High power and current handing capability G 100

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