G86N06K Todos los transistores

 

G86N06K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: G86N06K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 68 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 281 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0084 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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G86N06K Datasheet (PDF)

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G86N06K

G86N06K GOFORD Description VDS S RDS (on) ID The G86N06K uses advanced trench technology to provide @ (Typ.) 10V excellent R , low gate charge and rugged E DS(ON) AScapability. This device is suitable for PWM, load switching 60V 7.9m 68A especially for E-Bike controller application. D General Features High power and current handing capability G 100

Otros transistores... G50N03A , G50N03K , G5N50T , G5N50F , G5N50J , G5N50K , G6P06 , G7P03L , 60N06 , G90N04 , GC11N65T , GC11N65F , GC11N65K , GC11N70K , GC11N70T , GC11N70F , GT045N10M .

History: MS65R170S | 2SK3309K

 

 
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